S
Samsung V10 Bonded V-NAND 2026: Chip Memori 400 Layer Revolusi Penyimpanan Data Center
Samsung memperkenalkan V10 Bonded V-NAND dengan 400+ layer, melompat 58% kapasitas dari generasi sebelumnya. Teknologi bonding memungkinkan stacking lebih rapat, kecepatan I/O lebih tinggi, dan efisiensi daya superior untuk beban kerja AI dan data center modern.