Storage
SK hynix dan SanDisk perkenalkan High-Bandwidth Flash (HBF) via OCP di FMS 2026 — lapisan memori baru antara HBM dan SSD untuk mengatasi krisis memori AI. Bandwidth 1-2 TB/s, kapasitas puluhan GB, biaya per bit jauh lebih murah.
Storage
Penyimpanan data kini menjadi tulang punggung revolusi kecerdasan buatan. Simak bagaimana tren data center di tahun 2026 mengubah lanskap teknologi digital.
Storage
Tahun 2026 menandai titik balik adopsi QLC SSD di data center enterprise. Teknologi 4-bit per cell yang dulu dianggap terlalu lambat untuk workload kritis kini menjadi pilihan utama untuk AI inference, model storage, dan arsip data masif berkat efisiensi daya dan biaya per TB yang tak tertandingi.
Storage
Eksplorasi tren teknologi penyimpanan data enterprise di tahun 2026 yang didominasi oleh integrasi AI dan strategi hybrid cloud untuk efisiensi bisnis.
Storage
Menjelajahi bagaimana NVMe-oF dan CXL mendefinisikan ulang efisiensi storage di data center enterprise pada tahun 2026.
Storage
Samsung V10 BV-NAND 400-layer dan spesifikasi HBF dari SK hynix-Sandisk merevolusi hierarki memori AI 2026. Analisis mendalam soal zHBM, zNAND-O, dan implikasi arsitektur server.
Storage
BiCS10 QLC NAND dan HBF (High Bandwidth Flash) dari Sandisk di FMS 2026, serta DSM GPU-enabled NAS Synology di COMPUTEX 2026, menandai era baru penyimpanan flash sebagai fondasi inferensi AI skala besar. Artikel ini membedah arsitektur, spesifikas teknis, dan implikasi infrastruktur untuk organisasi
Storage
2026 menandai akhir era SSD murah dan lahirnya arsitektur memori baru: High-Bandwidth Flash (HBF), V-NAND 400-layer, dan AI-predictive memory. Harga naik 40-50% Q3 saja. Artikel ini bedah tren, teknologi, dan strategi praktis untuk infrastruktur Indonesia.
Storage
NVMe SSD PCIe Gen5 jadi standar data center Indonesia 2026. Bandwidth 32 GT/s, efisiensi daya naik 38%, TCO break-even vs Gen4. Artikel ini bedah adoptasi teknis, perhitungan biaya 5-tahun, arsitektur NVMe-oF/RoCE, dan tantangan lokal: grid PLN, zona gempa, kesenjangan skill. Termasuk contoh konfigu
Storage
Samsung memperkenalkan V10 Bonded V-NAND dengan 400+ layer di FMS 2026. Teknologi BV-NAND ini menjanjikan performa 8x lebih cepat dari HBM5 dan efisiensi daya 3x lebih baik untuk beban kerja AI skala besar.
Storage
Samsung meluncurkan V10 Bonded V-NAND 400+ layer pertama industri di FMS 2026 — fondasi zHBM, zNAND-O, dan LPDDR5X-PIM untuk era AI. Analisis dampak ke infrastruktur enterprise Indonesia.
Storage
Samsung V10 Bonded V-NAND 400-layer hadir di 2026 sebagai chip flash pertama menembus batas 400 lapisan, menawarkan kepadatan 58% lebih tinggi dan efisiensi daya 15% lebih baik — fondasi storage baru untuk era AI skala besar.