Storage
Samsung memperkenalkan V10 Bonded V-NAND dengan 400+ layer, zHBM, zNAND-O, dan LPDDR5X-PIM di FMS 2026. Teknologi storage baru ini dirancang mengatasi bottleneck memori untuk beban kerja AI skala besar.
Storage
Samsung meluncurkan V10 Bonded V-NAND dengan 400+ layer di FMS 2026, sementara SK hynix dan Sandisk memperkenalkan spesifikasi HBF (High-Bandwidth Flash) via OCP untuk mengatasi krisis memori AI. Tinjauan mendalam soal masa depan storage enterprise.
Storage
SK hynix dan Sandisk meluncurkan spesifikasi HBF pertama melalui Open Compute Project pada Agustus 2026. Teknologi ini menjanjikan bandwidth 3TB/s dengan kapasitas 512GB per paket, mengatasi bottleneck memori AI inference.
Storage
SK hynix dan Sandisk meluncurkan spesifikasi High-Bandwidth Flash (HBF) via OCP di FMS 2026 — lapisan memori baru antara HBM dan SSD untuk mengatasi krisis memori AI. Artikel ini membahas arsitektur, implikasi biaya, dan peta jalan adopsi di data center Indonesia.
Storage
Google mengubah kebijakan storage Juli 2026: backup Android kini hitung kuota 15 GB. Artikel ini membahas dampak, tren hardware UFS 5.0/V-NAND 400-layer, dan strategi hybrid cloud untuk enterprise Indonesia.
Storage
Kelangkaan HDD struktural, kebijakan cloud storage Google/Apple yang berubah, dan strategi hybrid storage tiering untuk enterprise Indonesia menghadapi era AI 2026.
Storage
Menganalisis pergeseran paradigma penyimpanan enterprise di Indonesia: adopsi NVMe Gen5, standarisasi Object Storage S3 API, hingga arsitektur AI-ready yang mengubah landskap data center modern.
Storage
SK hynix dan Sandisk luncurkan standar High-Bandwidth Flash (HBF) 2026 — memori flash bandwidth 3 TB/s kapasitas 512 GB yang mengisi celah antara HBM dan SSD untuk AI inference server. Analisis teknis dan implikasi bagi infrastructure Indonesia.
Storage
Samsung memperkenalkan V10 Bonded V-NAND dengan 400+ layer di FMS 2026, menjanjikan kapasitas 58% lebih besar, kecepatan I/O lebih tinggi, dan efisiensi daya superior. Teknologi ini bersama HBM5, zHBM, dan zNAND-O menjadi fondasi infrastruktur AI generasi depan.
Storage
Samsung V-NAND 400 layer, HBM5/zHBM, Microsoft Project Silica kaca 10.000 tahun, dan HBF standar baru OCP — tiga terobosan storage 2026 yang redefinisi kapasitas, bandwidth, dan daya tahan data.
Storage
Samsung meluncurkan UFS 5.0 (10,8 GB/s) dan V-NAND V10 400-layer pada 2026 — breakthrough yang mengubah arsitektur storage untuk AI edge dan data center. Analisis teknis mendalam untuk tim infrastruktur Indonesia.
Storage
Samsung meluncurkan V10 Bonded V-NAND 400-layer pertama dunia di FMS 2026 — breakthrough arsitektur storage untuk beban kerja AI skala besar. Analisis teknis mendalam soal hybrid bonding, ekosistem zHBM/zNAND-O/PIM, dan implikasi infrastruktur data center.